鴻海研究院與陽明交通大學在第四代化合物半導體的關鍵技術上取得重大突破，為台灣在全球化合物半導體產業中爭取領先地位。這項突破主要集中在氧化鎵 (Ga2O3) 材料的應用上，成功提升了氧化鎵在高壓、高溫應用領域的高壓耐受性能，為未來高功率電子元件的發展開闢新的可能性。
這項突破性的研究由鴻海研究院半導體所所長暨國立陽明交通大學講座教授郭浩中教授和研究團隊，以及陽明交大電子所洪瑞華教授團隊共同完成。研究團隊導入離子注入技術於異質磊晶生長的同質結氧化鎵PN二極體元件中，成功提升了氧化鎵的性能，研究成果已發表於國際頂級材料科學期刊《Materials Today Advances》。
氧化鎵 (Ga2O3) 作為第四代化合物半導體材料，具有高禁帶寬、高擊穿電場、高電子遷移率等優點，在高壓及高溫應用領域具有強大潛力。目前，中國、日本和美國在氧化鎵研究領域處於領先地位，日本已實現 4 英寸和 6 英寸氧化鎵晶圓的產業化。氧化鎵元件有望成為具有競爭力的電力電子元件，能直接與碳化矽元件競爭。
鴻海研究院表示，這一傑出的研究成果已發表於高影響力指數 (impact paper) 的國際頂級材料科學期刊「Materials Today Advances」。該期刊在 2023 年的影響力指數達到 10.25，並在材料科學領域的 SJR (Scimago Journal & Country Rank) 中排名前 25%，已成為促進全球科學家和工程師之間知識傳播與學術交流的重要平台。
鴻海研究院此次的技術突破，將為台灣在全球化合物半導體產業中的領先地位增添優勢，也為未來的高壓半導體應用開創新的可能。這項研究再次證明了鴻海在技術創新和產業發展上的卓越能力。
