全球正積極應對環境、社會及公司治理（ESG）的挑戰，而高能耗的晶片產業更是關注焦點。2025年3月31日，我們帶來一則關於台灣在節能晶片研發領域取得重大突破的即時報導。這項突破不僅展現台灣在半導體產業的領先地位，更為全球永續發展貢獻一份力量。
台灣學研界在節能晶片研發領域取得重大進展，這項成就來自於產學研的緊密合作。台灣大學、師範大學、陽明交通大學、成功大學等頂尖學府的研究團隊，與台灣半導體研究中心及國內外研究團體攜手合作，取得了令人矚目的成果。
其中一項關鍵突破是開發出厚度僅1.3奈米的創新鐵電電晶體（ST-3R MoS2 FeS-FET）。這項技術成功解決了傳統鐵電電晶體在縮小尺寸時，功耗難以降低的技術瓶頸。此項突破性研究成果已於2023年11月底發表在國際知名學術期刊《自然電子》，獲得國際學術界的肯定。
- 突破性的技術：1.3奈米厚的創新鐵電電晶體 (ST-3R MoS2 FeS-FET) 成功克服了傳統鐵電電晶體在尺寸縮小後的功耗問題。
- 節能成效顯著：由台灣半導體研究中心與其他研究團體合作開發的負電容電晶體元件，可節省約30%的功耗。
- 產業巨擘的貢獻：台積電透過其領先的FinFET設計技術，也為節能晶片的發展貢獻力量，展現台灣在全球半導體產業的影響力。
在全球ESG浪潮下，降低晶片能耗已成為刻不容緩的任務。此項研究不僅展現台灣學研界在尖端科技領域的實力，更彰顯台灣積極投入永續發展的決心。台灣半導體產業在全球供應鏈中扮演關鍵角色，而此次的突破將有助於推動全球晶片產業朝向更節能、更環保的方向發展。
這項研究成果的發表，不僅提升了台灣在國際學術界的地位，更為全球科技發展注入一股創新能量。未來，我們期待台灣能持續在節能晶片研發領域取得更多突破，為全球永續發展做出更大的貢獻。
