全球科技巨頭輝達(Nvidia)於今年GTC大會上，揭示了其令人振奮的AI晶片發展藍圖，其中備受矚目的Rubin平台預計將於明年推出。此平台的問世，將對全球AI產業產生深遠的影響，而其中一個關鍵因素便是電源供應器的設計與製造。面對這波科技浪潮，台灣科技大廠台達電(2308)展現其敏銳的市場嗅覺及雄厚的研發實力，搶先開發出符合Rubin平台需求的專用電源，有望成為全球領頭羊。
據了解，Rubin平台相比舊世代晶片，用電量將大幅提升，電路設計也將徹底翻新。台達電電源及零組件執行副總裁史文景表示：「隨著AI伺服器所需功率大幅飆升，同樣體積的電源需要具備更高的電源密度，因此要有全新電路設計。」為此，台達電運用獨家技術，將碳化矽及半導體周邊元件、散熱材質封裝成為單一模組，打造出一個高效能的「黑盒子」電源模組。
- 關鍵技術突破：此專用電源採用三相輸入，並將功率元件由MOSFET改為碳化矽，以因應高電壓需求(從50V提升至800V)及提升功率密度(從5.5KW提升至30KW)。
- 設計理念：台達電的PSU設計考量拓撲結構、材料及封裝技術三合一，形成「黑盒子」模組，有效提升電源功率及效率。
- 量產時程：預計於明年下半年開始量產，將能及時滿足市場對Rubin平台電源的迫切需求。
台達電源及系統事業群總經理陳盈源進一步說明：「新世代AI晶片電源設計大不同，現在晶片輸出是50V（伏特），未來變成高壓直流、高達800V，相差16倍，就像『火車變高鐵』；此外，整體配電線路也將大改版。」他指出，新世代AI晶片每個電源功率從5.5KW提高至30KW，電壓從50V拉高至800V，電源供應器（PSU）也將變成三相input，這與舊世代的單相input設計完全不同。
史文景也強調：「因應輝達下世代晶片對電源與電路設計改變，原來的半導體技術採分散式元件，功率元件為MOSFET，變成三相輸入後就要變成碳化矽，因為電壓不一樣，零件改變，且因為同樣的空間，效率及功率密度提高，零件工作的控制方式及原理也要調整。」這項技術的突破，展現了台達電在電源供應器領域的領先地位，也為其在未來AI產業鏈中佔據一席之地奠定了堅實基礎。
輝達今年下半年將推出GB300 (Blackwell Ultra平台)，而2028年更預計推出Feynman平台。然而，法人目前的焦點主要集中在明年推出的Rubin平台，台達電此舉不僅搶佔先機，更展現了其在高階電源供應器領域的深厚技術實力，這項及時的新聞報導，也讓讀者能更深入了解全球AI產業的最新發展趨勢。
