三星電子近期公布的財報顯示，上季整體營業利益雖然較去年同期大幅成長，但晶片部門卻出現業績下滑的狀況。 此消息引發市場對於三星半導體事業發展的擔憂，三星也隨即釋出調整策略的訊息，暗示可能與台積電在高頻寬記憶體（HBM）領域展開合作。
三星表示，上季整體營業利益較去年同期激增277.4%至9.2兆韓元（66.6億美元），略高於本月初的預估值。 營收也成長17.3%至創紀錄的79.09兆韓元。 然而，晶片部門卻出現業績下滑，上季營業利益季比下滑40.2%、降至3.86兆韓元（28億美元），營收季增3%至29.27兆韓元，皆低於預期。
儘管如此，三星強調已從高頻寬記憶體、DDR5及伺服器儲存產品獲得「龐大營收成長」。 並預期本季半導體事業表現將好轉，儘管行動和PC記憶體晶片需求可能疲軟，AI成長將維持需求在熱絡水準。 三星預測消費電子產品市況仍將相當平淡，但AI和資料中心需求將維持強勁，伺服器記憶體產品需求到明年都將「強勁且穩定」，包括AI和傳統伺服器。
為應對市場變化，三星將彈性減產部分傳統DRAM和NAND晶片，以符合市場需求的水準，並加速轉換到先進製程節點。 此外，三星預定下半年開發並量產HBM4，明年記憶體部門將聚焦於高頻寬記憶體和伺服器固態硬碟（SSD）。 此舉也暗示三星可能與台積電協調合作，以滿足多家高頻寬記憶體客戶的不同需求。
三星主管也表示，HBM3E晶片在贏得輝達（NVIDIA）認證方面「大有進展」，預期第4季將向客戶銷售。
除了記憶體事業之外，三星也表示，預料在AI PC和AI應用帶動下，明年整體晶圓代工市場將雙位數成長。 三星計畫於明年成功量產2奈米製程，以確保主要客戶。 此外，三星將整合先進的製程節點和先進封裝解決方案，以進一步開發HBM Buffer die（緩衝裸晶），以獲得人工智慧和高速運算（HPC）新客戶。
值得注意的是，三星今年資本支出將比去年略增3.6兆韓元、達56.7兆韓元，晶片資本支出預料為47.9兆韓元（347億美元），略低於去年。 此舉顯示三星將縮減今年晶圓代工資本支出，集中於現有產線的技術轉變，而記憶體資本支出則將與去年相同，優先投入高頻寬記憶體和DDR5等高附加價值產品。
三星此舉引發市場的關注，尤其是在HBM領域，目前台積電的主要合作夥伴為另一家韓國記憶體大廠SK海力士。 三星今年資本支出僅略高於台積電，市場擔憂三星如何同時在高頻寬記憶體領域趕上SK海力士，以及在晶圓代工領域追趕台積電。
三星與台積電在HBM領域的合作，不僅顯示出三星在高頻寬記憶體領域的積極布局，也暗示了未來半導體產業的發展趨勢，將更加注重AI和高速運算等新興領域。 業界將密切關注三星與台積電的合作進展，以及其對未來半導體產業的影響。
