近期，全球記憶體市場掀起一場關於 HBM (High Bandwidth Memory，高頻寬記憶體) 市場未來發展的辯論。摩根士丹利 (Morgan Stanley) 最新的報告預測，HBM 市場將於 2025 年面臨供過於求的困境，此觀點與業界普遍看好的發展趨勢形成強烈對比。
摩根士丹利分析，由於各記憶體廠皆積極擴充 HBM 產能，並將原本用於生產 DRAM 的 15% 產能轉換至生產 HBM，導致產能過剩。該機構預測，未來 HBM 產能可能面臨過剩，甚至需要不到 2024 年 DRAM 晶圓製造設備的 10% 資本投資。因此，摩根士丹利建議記憶體廠可將部分產能挪回製造 DDR5，並閒置一小部分後端設備。
然而，業界對於摩根士丹利的看法並不認同。SK 海力士和三星皆對 HBM 市場抱持正向看法，認為 HBM 市場將持續成長至 2025 年。三星甚至推估，HBM 市場規模今年將達到 16 億 Gb，相當於 2016 年到 2023 年加起來再乘以兩倍的數字，顯現 HBM 市場爆發力強勁。三星看好 AI 將帶動 DRAM 市場蓬勃發展，也將持續推出新產品和強化與其他晶圓廠的合作。
HBM 的主要需求來自於 AI 領域，預計 AI 的發展將持續推動 DRAM 市場的蓬勃發展。目前全球 HBM 主要供應商為 SK 海力士、三星和美光，台廠並未涉入 HBM 製造。
大摩直言，現階段業界良好的 HBM 供應狀態，2025 年時，恐面臨實際產出可能會逐漸趕上、甚至超過當前被高估的需求量。HBM 市場所面臨的供需變化，將會是未來記憶體市場發展的重要觀察指標。無論最終結果如何，這場辯論都反映了記憶體產業對於未來市場的謹慎態度，以及對於 AI 發展的期待。
