近期，英特爾宣布率先導入高數值孔徑極紫外光微影設備（High NA EUV），此舉引發業界熱議。該設備價格高達4億歐元，是目前 EUV 設備的1.66倍，其導入成本和技術挑戰也成為各廠商需要仔細評估的因素。
儘管英特爾率先導入High NA EUV 設備，但業界分析認為「先用不見得先贏」，關鍵在於客戶接受度和成本轉換獲利能力。一位業界人士指出：「重要的是，客戶願不願意接受，以及成本能否快速轉為獲利。」另一位業界人士也表示：「若能又快又好又準且具性價比之下，商用才有加速可能。」
值得注意的是，High NA EUV 設備的導入意味著半導體先進製程的持續推進，然而，高昂的成本也給晶圓代工產業帶來新的挑戰。目前，2奈米晶圓代工報價恐高達3萬美元，較3奈米成長50%，而1奈米以下製程的報價恐上看5-6萬美元。此外，開光罩模具一片成本恐達1,000萬元，因此，業界普遍認為，只有財大氣粗、大金主的客戶才能負擔得起這項成本。
業界也關注台積電何時導入最新設備，台積電的動向將成為市場焦點。由於High NA EUV 設備的成本和技術挑戰都非常高，因此，各廠商在導入前都需要謹慎評估其效益和風險。
英特爾導入High NA EUV 設備的積極意義在於推動半導體產業技術進步，但高昂的成本和技術挑戰也帶來一定的風險。業界對於High NA EUV 設備的效益和市場接受度持不同的看法，未來發展仍待觀察。
